锑化铟红外探测器脱水处理方法

  申请日2013.04.09

  公开(公告)日2013.07.24

  IPC分类号H01L31/18

  摘要

  本发明公开了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法,包括:台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行预处理;预处理之后的锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;将脱水处理后的锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内依次进行干燥处理和臭氧氧化处理,通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理,从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水,避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动,从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性,而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持,避免了水汽对芯片的二次污染。

  

  权利要求书

  1.一种锑化铟红外探测器脱水处理方法,其特征在于,包括:

  对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理;

  将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;

  将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内,进行干燥处 理和臭氧氧化处理。

  2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进行清洗处理具体包括:

  使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗,冲 洗时间为30-60分钟。

  3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,进行脱水处理具体包括:

  将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理,时 间为1-3分钟,并重复多次。

  4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在干燥处理之前进一步包括:

  使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑 化铟红外探测器的外围。

  5.根据权利要求1、2或4所述的方法,其特征在于,所述干燥处理的温 度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度,所述臭氧氧化时间为20-40分钟。

  6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述干燥处理的温度为80-100 摄氏度。

  7.根据权利要求1、2或4所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化处理 的步骤具体包括:

  打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯,使所述锑化铟红外探测器在 加热和臭氧条件下进行氧化。

  8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化的温度为80-100 度。

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